Корзина
17 отзывов
E-MAIL: marketing@theseuslab.cz
+375 17 2374211

Полуавтоматическая установка совмещения, экспонирования и сращивания пластин SUSS MA/BA6 Gen3

  Полуавтоматическая установка совмещения, экспонирования и сращивания пластин SUSS MA/BA6 Gen3, фото 1
 Полуавтоматическая установка совмещения, экспонирования и сращивания пластин SUSS MA/BA6 Gen3, фото 2  Полуавтоматическая установка совмещения, экспонирования и сращивания пластин SUSS MA/BA6 Gen3, фото 3
Под заказ

Цену уточняйте

Написать
  • +375 показать номер +375 (29) 640-41-26
  • +375 (17) 237-42-11 доб. 418
  • Адрес и контакты
    • Телефон:
      +375 (29) 640-41-26
      +375 (17) 237-42-11 доб. 418,
    • Контактное лицо:
      Дежурный специалист
    • Адрес:
      Pobřežní 249/46, Karlín, 186 00 Praha 8, Praha, Чехия
  • Производитель и гарантия
  • Условия возврата и обмена

Описание:

MA/BA6 Gen3 представляет собой инновационную установку совмещения, предназначенную для научно-исследовательской деятельности и производства. Она обеспечивает высокую гибкость процессов и предлагает новые характеристики и ключевые компоненты, такие как система управления на базе Windows, автоматическое совмещение или совмещение с подсказками и компенсация погрешности. Установку совмещения можно дополнительно оборудовать системой для импринт литографии (SMILE) для большой площади.

Система MA/BA6 Gen3 является отличным выбором для проведения литографии всей поверхности пластины для процессов в области МЭМС, 3D-интеграции и составных полупроводников. 

 

Основные возможности:

  • Оптика высокого разрешения (HR) позволяет формировать структуру с элементами размером менее 0.5 мкм
  • Автоматическое совмещение и совмещение с участием оператора позволяет добиться точности до 0,25 мкм
  • Расширенные автоматические функции для максимального контроля процесса
  • Совместимость процессов с автоматическим оборудованием
  • Оптимизированный микроскоп с двойным полем, прямым обзором и/или опцией ЖК-экрана
  • Простое переключение в режим совмещения для сращивания
  • Возможна модернизация до 8"

 

Решения MA/BA6 GEN3 


Характеристики и преимущества

  • Оптика высокого разрешения (HR) позволяет формировать структуру с элементами размером менее 0.5 мкм
  • Автоматическое совмещение и совмещение с участием оператора позволяет добиться точности до 0,25 мкм
  • Расширенные автоматические функции для максимального контроля процесса
  • Совместимость процессов с автоматическим оборудованием
  • Оптимизированный микроскоп с двойным полем, прямым обзором и/или опцией ЖК-экрана
  • Простое переключение в режим совмещения для сращивания
  • Возможна модернизация до 8"


Опции

  • Фотолитография всей поверхности пластины
  • Совмещение для сращивания: совмещение двух подложек
  • УФ импринтинг: UV-NIL, SCIL, SMILE
  • УФ сращивание
  • Экспонирующая оптика MO

 

Благодаря способности обрабатывать любые типы пластин и подложек, ручные установки совмещения все чаще используются в производственной среде. Новая установка совмещения и экспонирования MA/BA6 Gen3 отвечает постоянно растущим требованиям более жесткого контроля процесса и высокой производительности. Установка MA/BA6 Gen3 предназначена для быстрой и эффективной разработки новых технологий и изделий. Исследовательские организации выиграют от расширенных возможностей данной машины, поскольку она позволит разрабатывать необходимые процессы на оборудовании, выполненном в соответствии с отраслевыми стандартами. Система позволяет легко и экономично перенести процесс из лаборатории в производство. Возможна модернизация установки MA/BA6 Gen3 до 8".


Интегрированная функциональность

Помимо режима стандартной установки совмещения MA/BA6 Gen3 предлагает целый ряд функций, например нано-импринтинг, совмещение для сращивания и УФ-сращивание с возможностью быстрого переключения между ними.


Расширяем границы технологии

Не имеющая аналогов точность совмещения в сочетании с высоким разрешением и максимальной равномерностью подсветки делают MA/BA6 Gen3 оптимальным выбором для применения в различных областях - от МЭМС, оптоэлектроники и 3D-интеграции до микрооптики и нанотехнологий.

Наноимпринт-литография.

Отверстия шириной 160 нм, расположенные в форме концентрических колец, используются в фотонных кристаллах

 
 
МЭМС. Напечатанные структуры 500 мкм SU8

Технические характеристики: 

Шаблон и пластина/подложка

Размер пластины

1'' - 150 мм

Макс. размер подложки

150 х 150 мм

Мин. фрагментов

5 х 5 мм

Толщина пластины

макс. 10 мм

Размер шаблона

стандарт 2'' х 2''
до 7'' х 7'' (SEMI) 

Режимы экспонирования

Контакт

Мягкий, плотный, вакуум

Зазор

Зазор экспонирования 1-300 мм

Точность настройки зазора

1 мкм

Вакуумный контакт

Регулируется до - 80 кПа

Режимы

Постоянное питание, постоянная доза

Опции

Сплошное, ступенчатое экспонирование

Экспонирующая оптика

Разрешение*

Режим экспонирования

uV400

uV300

uV250

Вакуумный контакт

1.5 мкм

0.5 мкм

0.4 мкм

Плотный контакт

2.0 мкм

1.0 мкм

-

Мягкий контакт

3.0 мкм

2.0 мкм

-

Зазор (20 мкм)

3.5 мкм

2.5 мкм

-

Диапазон длин волн

UV400 350-450 нм
UV300 280-350 нм
UV250 240-260 нм

Источник экспонирования

Лампы Hg 350-1000 Вт (опционно 5000 Вт)

Равномерность интенсивности

< 3.5% (150 мм)

Методы совмещения

Совмещение сверху (TSA)

Точность < 0.5 мкм (совмещение с подсказками или рекомендованными метками пластин)

Совмещение снизу (BSA)

точность < 1.0 мкм

Диапазон фокусировки при TSA

1– 400 мкм (AL400 – фокус с приводом и захват изображения)

Точность установки сращивания

2 мкм

Станина совмещения

Диапазон перемещения MA

X: ± 5 мм
Y: ± 5 мм
ϴ: ± 5 °

Диапазон перемещения BA

X: ± 3 мм
Y: ± 3 мм
ϴ: ± 3°

Разрешение

0.1 мкм

Микроскоп TSA

Диапазон перемещения

X: 33 – 202 мм
Y: +18 –100 мм
ϴ: ± 5°

Микроскоп BSA

Диапазон перемещения

X: 20 – 210 мм
Y: ± 22 мм

Графический интерфейс пользователя

Windows XP  

Неограниченное хранилище рецептов  

Удаленный доступ

Коммуникации

Вакуум

<– 0.8 кПа

Сжатый воздух 

0.6 - 0.8 МПа

Азот 

> 0.5 МПа

Требования к питанию

Питание

напряжение AC 230 В ± 10 %
частота 50 – 60 Гц

Размеры

Ширина х глубина

1350 x 1000 мм = 1.35 м2

Высота

1803 мм

Вес

~ 750 кг

Безопасность оператора и эргономичность

Сертификат SEMI S2 

Сертификат SEMI S8  

ЭМС  

Соответствует стандартам СЕ

* Доступное разрешение зависит от качества контакта, типа оптики, размера пластины, плоскостности пластины, типа резиста, класса чистой комнаты и поэтому может разниться в зависимости от процесса (толщина резиста 1 мкм, линии и пробелы)

 

Равномерность УФ-излучения

 

Средняя интенсивность

Размер пластины

 

 

6"

< 4"

i-линия*

40 мВт/см2

3.0 %

2.0 % 

Широкий спектр**

60 мВт/см2

3.0 %

2.0 %

* измерено щупом 365 нм

** измерено широкополосным зондом

 

Характеристики
Основные
Производитель   SÜSS MicroTec
Страна производитель Германия
Дополнительный сервис   Установка
Информация для заказа
  • Цена: Цену уточняйте
Отзывы о товаре
Добавить отзыв

Отзывов пока нет, будьте первыми!

social-icon
Loading...