Корзина
E-MAIL: marketing@theseuslab.cz
+375 17 2374211

Универсальная установка для совмещения и экспонирования SUSS MA/BA6

  Универсальная установка для совмещения и экспонирования SUSS MA/BA6, фото 1
 Универсальная установка для совмещения и экспонирования SUSS MA/BA6, фото 2  Универсальная установка для совмещения и экспонирования SUSS MA/BA6, фото 3
Под заказ

Цену уточняйте

Написать
  • +375 показать номер +375296404126
  • +375172374211 доб. 418
  • Контакты
    • Телефон:
      +375296404126
      +375172374211 доб. 418,
    • Контактное лицо:
      Дежурный специалист
    • Адрес:
      Вацлавске намести 808/66, Нове Место, 110 00 Прага 1, Прага, Чехия
  • Производитель и гарантия
  • Условия возврата и обмена

Описание:

Установка совмещения и экспонирования SUSS MA6 всегда считалась образцом в полупроводниковой промышленности. Она широко используется в НИОКР и производстве 3D-микросистем. Система отвечает современным требованиям по гибкости конфигурации, точности и соотношению цена/качество. MA6 позволяет перенести лабораторный (пилотный) процесс в массовое производство, т.к. базовые узлы этой установки и промышленной SUSS MA150 совпадают. МА6 спроектирована для всех стандартных применений в литографии. 

Для производства MEMS с толстым фоторезистом MA6 предлагает оптику с высоким разрешением и уменьшенной дифракцией для оптимального качества края. Опция совмещения снизу позволяет экспонировать на обе стороны подложки. В дополнение MA6 предлагает специальные средства для работы с хрупкими АIII-ВV материалами, утоненными пластинами и прозрачными подложками. MA6 легко перепрофилировать на совмещение подложек для склейки (бондинга), эта система носит название BA6. 

 

Опции:

  • Высокая точность совмещения для сращивания
  • Импринт-литография для всей пластины и печать на малых площадях структур в нанометрическом диапазоне  
  • Моделирующее ПО

 

Применение. Исследования и производство.

МЭМC

Благодаря экспонирующей оптике высокой интенсивности система MA/BA6 обеспечивает эффективную поддержку процессов с толстопленочным резистом в области МЭМС. Совмещение с задней стороны или в ИК-свете (проходящее или отражающее излучение), совмещение для сращивания и возможность обработки любого типа подложек превращают MA/BA6 в универсальное устройство для разработки и мелкосерийного производства МЭМС-устройств.

 

Научно-исследовательская деятельность

MA/BA6 обеспечивает гибкость и простоту эксплуатации, благодаря чему является основным выбором для процессов, связанных с научно-исследовательской деятельностью. При использовании наноимпринт литографии, совмещении для сращивания или литографии с толстопленочным фоторезистом переход между процессами выполняется очень быстро, обеспечивая полную гибкость. В линейке оборудования есть экономичные модели с ручной настройкой для базовых исследований, а также полностью моторизованные системы.

3D-структурирование

Установка совмещения и экспонирования MA/BA6 охватывает все аспекты решений наноимпринт литографии - от высокого до низкого разрешения на малой или большой площади. Опция UV-NIL направлена на печать с высоким разрешением на малых подложках. Для импринтинга по всей площади пластины размером до 150 мм оптимальным выбором будет уникальная технология SCIL.

 

Совмещение. Точность, надежность, простота использования

Совмещение с верхней стороны (TSA)

Система MA/BA6 оснащена моторизованной системой совмещения с верхней стороны, с помощью которой можно добиться точности совмещения ± 0.5 мкм. Дополнительные объективы позволяют оператору легко переключаться между различными увеличениями.

Совмещение с нижней стороны (BSA)

Помимо совмещения с верхней стороны для многих применений, таких как МЭМС требуется точное совмещение с нижней стороны. MA/BA6 можно дополнительно оборудовать светлопольным микроскопами для совмещения с нижней стороны. Они имеют переключатель увеличения и позволяют добиться точности совмещения 1 мкм. В микроскопе для совмещения с нижней стороны с одним и двумя полями используются ПЗС-камеры высокого разрешения. Уникальная система хранения и обработки изображений в режиме реального времени точнее и быстрее, чем стандартное совмещение с перекрестием.

ИК-совмещение (IR)

Совмещение в инфракрасном свете позволяет обрабатывать непрозрачные материалы, которые прозрачны для ИК-излучения, например GaAs, InP, кремний или адгезивы, которые используются при работе с тонкими пластинами или в процессах инкапсуляции. Установка совмещения и экспонирования MA/BA6 может быть оснащена модулем проходящей или отраженной ИК-подсветки, который монтируется на стандартный BSA-микроскоп.

 

Улучшенная система хранения изображений (EISS)

Система хранения изображений компании SUSS MicroTec отвечает самым строгим требованиям совмещения. Среди возможностей: SVGA-разрешение и усиление контрастности, а также регулировка яркости сохраненных изображений.         

Совмещение с большим зазором.

Система MA/BA6 оснащена опцией совмещения с большим зазором AL400, которая гарантирует высокоточное совмещение даже в случаях, когда требуется большой зазор между шаблоном и пластиной. 

 

Экспонирующая оптика. Индивидуальные решения под любое требование

Доступные оптические системы MA/BA6

  • Оптика высокого разрешения (HR Optics)
  • Оптика для совмещения с большим зазором (LGO)
  • Оптика MO Exposure Optics (MOEO)


Оптика высокого разрешения

Специальные оптические компоненты высокого разрешения были оптимизированы для достижения лучших характеристик при экспонировании с контактом или небольшими зазорами. Оптика высокого разрешения позволяет добиться разрешений до 2.5 мкм при зазоре экспонирования 20 мкм и субмикронного разрешения при контакте.

Оптика для экспонирования с большим зазором

Данные оптические элементы предназначены для достижения высокого разрешения при экспонировании с большими расстояниями от шаблона до пластины с помощью настройки угла освещения. Эта оптика как правило используется для работы с подложками с плотной топографией или толстопленочным резистом.

Оптика MO EXPOSURE OPTICS

В основе этих экспонирующих элементов лежат уникальные микролинзы высокого качества в сочетании со сменной пластиной фильтра (IFP). Они обеспечивают превосходную равномерность освещения и позволяют легко переключаться между классической оптикой компании SUSS, оптикой HR и LGO. Экспонирующая оптика MO Exposure Optics позволяет получить освещение в соответствии с особыми требования благодаря модификации пластины IFP и использовать улучшенные технологии литографии, такие как оптимизация источник-шаблон (SMO) или оптическая коррекция зазора (OPC).

 

Система уменьшения дифракции

Уникальная система экспонирования SUSS MicroTec сводит к минимуму эффекты дифракции на кромке, ограничивающие разрешения. Система позволяет проводить экспонирование под точным углом освещения для выравнивания напечатанных элементов – технология, которая приводит к существенному увеличению разрешения и производительности. 

SUSS MicroTec является единственным поставщиком полупроводникового оборудования, который предлагает оптику для уменьшения дифракции.

 

 

Экспонирование

Режимы экспонирования

Установка совмещения и экспонирования MA/BA6 предлагает различные режимы экспонирования для выполнения любых требований широкого ряда применений. Для достижения максимального разрешения до субмикронного диапазона используется печать с вакуумным, мягким и жестким контактом. Печать с зазором используется, чтобы избежать какого-либо контакта шаблона с пластиной. Предупреждение загрязнения шаблона прямо влияет на повышение производительности. 

 

 

Оптическая система установки совмещения и экспонирования SUSS MA/BA6

 

Разрешение MA/BA6

Режим экспонирования

UV400

UV300

UV250

Вакуумный контакт

< 0.8 мкм

< 0.7 мкм

< 0.6 мкм

Жесткий контакт

< 1.5 мкм

< 1.0 мкм

-

Мягкий контакт

< 2.5 мкм

< 2.0 мкм

-

Зазор (20 мкм)

< 3.0 мкм

< 2.5 мкм

-

 

Разрешение линий и пробелов на пластине из кремния размером 150 мм с резистом толщиной 1.2 мкм AZ 4110 (UV400, UV300) и резистом толщиной 0.8 мкм (UV6, UV250) respectively.

Доступное разрешение зависит от размера пластины, плоскостности пластины, типа резиста, условий чистой комнаты и, следовательно, может различаться в зависимости от процесса.

 

Выравнивание пластины и контроль зазора экспонирования. точность для самого высокого разрешения.

Точное выравнивание и контроль зазора пластины и шаблона является необходимым для оптимального CD-контроля. Он обеспечивает параллельность шаблона и подложки во время совмещения и экспонирования, а также точный контроль зазора, для исключения ошибок параллельности и достижения более высокого разрешения. Система выравнивания и калибровки зазора установки MA/BA6 предназначена для выполнения самых жестких требований с учетом точности и надежности. 

 

Дополнительные опции. За пределами стандартной литографии.

Совмещения для сращивания

MA/BA6 предлагает функцию высокоточного совмещения для последующего сращивания полупроводниковых пластин. Система, основанная на технологии расширенного хранения изображений, позволяет добиться точности совмещения 0,5 мкм. Модуль предварительного сращивания поддерживает точность совмещения пластин во время ручного перемещения из установки совмещения в установку сращивания и гарантирует постоянный зазор между пластинами. Модуль либо встраивается в систему MA/BA6 или доступен в виде отдельной установки предварительного совмещения для сращивания - SUSS BA6/8.


Сращивание методом сплавления

Установка совмещения и экспонирования MA/BA6 позволяет проводить сращивание пластин методом сплавления. После совмещения две пластины приводятся в прямой контакт, и начинается процесс предварительного сращивания методом сплавления.


Моделирующее ПО LAB

Версия моделирующего ПО компании SUSS объединяет все оптические решения SUSS MicroTec, такие как экспонирующая оптика HR, LGO и MO, включая их индивидуальные характеристики. ПО уменьшает необходимость в оптимизации и упрощает разработку процесса. Моделирующее ПО LAB вместе с оптикой MO является передовой технологией для получения лучшего результата, сокращая затрачиваемое на оптимизацию процесса время.

Программное моделирование критических элементов с оптимизированным освещением и оптической коррекцией зазора.

Дополнительные опции. Гибкость для выполнения любой задачи 

 

Импринт литография

Наноимпринт литография с УФ-излучением (UV-NIL)

Решения UV-NIL для наноструктур вполне могут стать инновационным подходом для полупроводниковых, МЭМС и оптоэлектронных технологий следующего поколения.

* Отпечатанные структуры, UV-NIL

В литографии UV-NIL используются маленькие (1"x1") жесткие или мягкие штампы и УФ-отверждение в установке совмещения и экспонирования MA/BA6. UV-NIL можно использовать, чтобы добиться разрешения до 50 нм, благодаря чему эта технология является экономичной и эффективной альтернативой электронно-лучевой литографии. Функционал UV-NIL можно добавить как отдельную систему или встроить в установку совмещения.

 

 

 

Импринт литография по большой площади (SCIL)

Импринт-литография по большой площади (SCIL) сочетает в себе преимущества мягкого составного штампа для нанесения рисунка на большую площадь с жесткой стеклянной подложкой для исключения искажения рисунка и лучшего разрешения. 

В технологии SCIL используется принцип последовательного импринтинга с применением капиллярных сил, а не давления с задней стороны, что сводит к минимуму влияние воздуха даже на больших площадях и обеспечивает наилучшую однородность. Последовательное разделение штампа и подложки исключает высокую нагрузку и гарантирует чистое и надежное разделение без повреждения нанесенных структур.

* Отпечатанные структуры, SCIL

 

 

Характеристики
Основные
Производитель   SÜSS MicroTec
Страна производитель Германия
Дополнительный сервис   Установка
Информация для заказа
  • Цена: Цену уточняйте
Отзывы о товаре