Корзина
52 отзыва
Научное, производственное, лабораторное оборудование
+375 29 6404126

Электронно-ионный микроскоп ZEISS Crossbeam 550L

  Электронно-ионный микроскоп ZEISS Crossbeam 550L, фото 1
next previous
Под заказ

Цену уточняйте

Написать
  • +375 показать номер +375296404126
  • Контакты
    • Телефон:
      +375296404126
    • Контактное лицо:
      Дежурный специалист
    • Адрес:
      ул. Калинина, 7б, Минск, Беларусь
  • Производитель и гарантия
  • Условия возврата и обмена

Описание:

Crossbeam 550L — флагман линейки электронно-ионных микроскопов ZEISS, который создает и исследует новые изделия и технологии, а также изображает поверхность любых объектов с нанометровым разрешением.

 

Область применения

Электронная промышленность, аэрокосмические технологии, материаловедение, наноструктурирование, наука о жизни, химия, атомная промышленность, подготовка образцов для ТЭМ (ламелей)

 

Характеристики:

Тип катода

Шоттки

Размер камеры для образцов

520 мм диаметр и 307 мм высота

Количество портов

    22

Разрешение электронной колонны

0,6 нм при 30 кВ в режиме СТЭМ
0,7 нм при 15 кВ
1,4 нм при 1 кВ
1,2 нм при 1 кВ*
1,6 нм при 0.2 кВ** с опцией приложения напряжения к столику для образцов

Ускоряющее напряжение электронной колонны

20 В – 30 000 В

Разрешение ионной колонны

3 нм при 30 кВ
120 нм при 1 кВ
330 нм при 500 В

Ускоряющее напряжение ионной колонны

0,5 – 30 кВ

Ток ионного пучка

1 пА – 100 нА

Перемещения рабочего столика

X = 153 мм, Y = 153 мм, Z = 50 мм
Вращение 360 градусов
Наклон от -15 до +70 градусов
Ось M* = 20 мм
* Ось, перпендикулярная падающему пучку ионов

Тип столика

Комбинированный эвцентрик

Детекторы

Стандартные:
Боковой вторичных электронов
Внутрилинзовый вторичных электронов
Опциональные:
Сдвоенный внутрилинзовый детектор вторичных и обратно-рассеянных электронов
Вторичных электронов при переменном давлении
Обратно-рассеянных электронов
Катодолюминесцентный
СТЭМ
Вторичных электронов и вторичных ионов
Масс-спектрометр вторичных ионов
ЭДС, ВДС, ДОЭ и др.

 

Crossbeam 550L решает задачи обратной инженерии и формирования трехмерных нанообъектов:

  • получает трехмерные изображения с разрешением 0,7 нм
  • в течение нескольких минут изготавливает однородные срезы толщиной 10 нм
  • препарирует поверхности с точностью 3 нм по вертикали.

 

Crossbeam 550L исследует газящие и разрушающиеся под действием радиации образцы — полимеры, химические вещества, суспензии — при низких ускоряющих напряжениях в 20 В. Это увеличивает поверхностную чувствительность, уменьшает зарядку непроводящих образцов и повреждение чувствительных к пучку электронов образцов. В результате микроскоп исследует диэлектрические образцы с нанометровыми областями интереса без предварительной пробоподгототовки, что также ускоряет процесс ионной резки.

Внутрилинзовые детекторы вторичных и обратно-рассеянных электронов изображают поверхность образцов одновременно. Изотропное разрешение FIB-SEM томографа – 3 нм.

Конструкция колонны Crossbeam 550L минимизирует магнитные поля на поверхности образцов. Микроскоп изображает диа-, пара- или ферромагнитные образцы с разрешением 4 нм при рабочем расстоянии 2 мм и напряжении 1 кВ.

Электронная «оптика» получает предельные результаты и при работе опционального детектора СТЭМ: 0,6 нм при 30 кВ. Таким образом, большинство задач трансмиссионной (просвечивающей) электронной микроскопии (ТЭМ) Crossbeam 550L решает и без использования микроскопа ТЭМ.

Ионная колонна с галиевым источником автоматически режет и получает изображения с высокой точностью при низких ускоряющих напряжения, что гарантирует резку хрупких и не стойких к радиации образцов. Скоростью резки – ламель 50*20 мкм2 за 25 минут.

Опциональная электронная пушка для нейтрализации заряда на полупроводниковых образцах позволяет резать непроводящие материалы с высокой точностью и одновременно получать изображение поверхности.

 

Характеристики
Основные
Производитель   Zeiss
Страна производитель Германия
Информация для заказа
  • Цена: Цену уточняйте